詳細內容：CVD（G）系列真空高溫管式爐專門設計用于高溫CVD工藝,如ZnO納米結構的可控生長、氮化硅渡膜、陶瓷基片導電率測試、陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結等等。 窯爐采用氧化鋁纖維制品隔熱、保溫，國產優(yōu)質硅鉬棒加熱，優(yōu)質剛玉管爐膛, 系統(tǒng)可預抽真空，氣體采用浮子流量計控制。進口單回路智能溫度控制儀控制，設備具有溫度均勻、控制穩(wěn)定、升溫速度快、節(jié)能、使用溫度高、壽命長等特點，是理想的科研設備。 一、 技術指標： 設 備 型 號 NT-CVD(G)-08/50/1 溫區(qū)最高溫度 1650℃；(最長恒溫時間：≥10小時)；常用溫度：1600℃ (最長恒溫時間：≥100小時) 加熱有效容積 Φ72（內經）×500mm;恒溫區(qū)尺寸：Φ72（內經）×250mm 爐管實際尺寸 Φ80（外徑）×1400mm （國產優(yōu)質剛玉管） 爐 膛 材 料 氧化鋁纖維制品 控制溫區(qū)點數(shù) 1個，1支B分度熱偶 設備溫場溫差 ±1℃ ，日本島電進口40段程序控制儀表(1只) 加 熱 元 件 優(yōu)質硅鉬棒 最大加熱功率 12Kw 保 溫 功 率 5kw 最大升溫速率 3℃∽10℃/min; 最大降溫速率 3℃∽7℃/min 溫度均勻性 ±3℃(有效范圍：Φ72×250mm) 氣路配件材料 氣路配件材料，端頭不銹鋼發(fā)蘭密封， 一路氣體采用浮子流量計控制， 所有管道和閥門采用不銹鋼元件 極 限 真 空 ≤10Pa（常溫） ,一級機械泵（配電磁閥）。 壓升率 ≤5Pa/h 　　　 1000時可抽真空，能通保護氮氣 外型參考尺寸 1250（L）×1650（H）×650（D）mm 輸入動力電源 單相電源，50HZ ，220V±10%；10KW 爐體表面溫升 ≤45℃